Samsung je preklopil na 20 nm čipov NAND Flash

Korejsko podjetje na svojih novih čipih uporablja 64-gigabitno gostoto podatkov, kar bo mogoče videti tudi v izdelkih SSD.

Samsung Electronics je tudi uradno sporočil, da je začel s proizvodnjo čipov NAND Flash tako imenovanega tipa Toggle DDR2.0 MLC, ki so izdelani s postopkom 20 nm in imajo gostoto podatkov 64 gigabitov (8 GB). Vmesnik, imenovan Toggle DDR2.0, je zmožen 400 Mbps, kar je desetkrat več kot SDR (Single Data Rate) NAND Flash pomnilniki, saj slednji zmorejo le 40 megabitov. In vmesnik, imenovan Toggle DDR 1.0, lahko stisne 133 megabitov podatkov na sekundo, zato je različica 2.0 trojna hitrost. Ne nazadnje proizvajalec pričakuje 50-odstotno izboljšanje donosa v primerjavi z 32 Gbit različicami.

Samsung namerava in priporoča novi razvoj predvsem za pametne telefone, tablične računalnike in SSD izdelke četrte generacije, ki uporabljajo vmesnik SATA III.