65-nanometrska tehnologija za mobilno platformo

Intelova 65-nanometrska tehnologija (nanometer je del 1 milijardinke metra (10-9)) zagotavlja boljšo kombinacijo porabe energije in zmogljivosti, kot jo Intel trenutno uporablja
Njegov 90-nanometrski postopek daje Intelovim oblikovalcem čipov več možnosti za oblikovanje gostote vezja, zmogljivosti in porabe energije, ki ustrezajo potrebam uporabnikov naprav, odvisnih od baterij.

 

"Ljudje iščejo mobilne platforme, ki bi podaljšale življenjsko dobo baterije," je dejal Mooly Eden, podpredsednik in generalni direktor skupine Intel Mobile Platforms Group. »Razvoj takšnih orodij se pričakuje od tehnologije, ki se trenutno razvija. Mobilne platforme prihodnosti bomo oblikovali tako, da bomo v celoti uporabili naša dva najsodobnejša 65-nanometrska procesa. "

 

Eno ključnih vprašanj pri zmanjševanju porabe energije čipov je razvoj tranzistorjev, kar je pomemben vidik zaradi mobilnih naprav in naprav na baterije. Mikroskopski tranzistorji porabijo električno energijo tudi, ko so izklopljeni, kar ne povzroča majhnih preglavic celotni industriji.

 

"Število tranzistorjev na vsakem čipu lahko preseže milijardo, zato je razumljivo, kako lahko razvoj tranzistorjev pozitivno vpliva na celotno napravo," je povedal Mark Bohr, vodja Intelove procesne arhitekture in integracije. "Test energetsko varčnih čipov, izdelanih s 65-nanometrsko tehnologijo Intel, je pokazal, da je" puščanje "tranzistorjev približno tisočkrat manjše kot pri izdelkih, ki zapuščajo tradicionalni proizvodni proces. To je velik prihranek energije za uporabnike, katerih naprave so zgrajene na tej tehnologiji.

 

 

Intelova 65nm proizvodna tehnologija vključuje številne pomembne spremembe tranzistorjev, ki omogočajo manjšo porabo energije, hkrati pa zagotavljajo vodilne zmogljivosti v industriji. Spremembe tranzistorjev so znatno zmanjšale količino uhajalnega toka. Zmanjšanje puščanja tranzistorja je mogoče pripisati manjši porabi energije in podaljšani življenjski dobi baterije.

 

 

Intelova 65-nanometrska tehnologija združuje tranzistorje z večjo močjo in manjšo močjo, Intelov pristranski silicij, hitre skakalce na osnovi bakra in izolacijo z nizko k-dielektriko. Procesorji, izdelani s 65 nm proizvodno tehnologijo, bodo Intelu omogočili, da podvoji število tranzistorjev, ki jih je danes mogoče zgraditi na enem samem čipu (z uporabo Intelove 90nm tehnologije).

 

Intelovi 65-nanometrski procesorji bodo imeli 35-nanometrske tranzistorje dolžine vrat, ki bodo najmanjši, a najzmogljivejši tranzistorji CMOS v množični proizvodnji. Za primerjavo, danes najnaprednejše tranzistorje najdemo v procesorjih Intel® Pentium® 4, ki imajo 50 nm. Majhni in hitri tranzistorji so glavni gradniki zelo hitrih procesorjev. 

 

Intel uporablja drugo generacijo visoko zmogljivega raztegnjenega silicija za 65nm tehnologijo. Z uporabo napetega silicija tok teče z večjo hitrostjo, s čimer se poveča hitrost tranzistorjev in stroški izdelave povečajo le za dva odstotka.

 

Za več informacij o tehnologiji Intel glejte www.intel.com/technology stran.