Toshiba v industriji NAND Flash poganja 19 nm
Proizvajalec želi imeti v lasti najmanjšo in najnaprednejšo ploščico na svetu.
Pred enim tednom smo poročali o tem Intel in čipi NAND Flash, izdelani pri 20 nm v skupnem podjetju z Micronom pod imenom IM Flash Technologies. Zdaj je Toshiba ponosno napovedala, da želijo narediti korak naprej in namesto 20 nm uporabiti 19 nm postopek. Posledično je območje takega čipa tipa MLC (Multi Level Cell) obseg konkurenčne rešitve, to je 118 mm2 in zmogljivost bo na enak način 64 Gbit (8 GB). Podjetje bo prve vzorce začelo dobavljati konec tega meseca, množična proizvodnja pa naj bi se začela v tretjem četrtletju. Ta časovni interval je podoben tistemu, o katerem poroča IMFT, saj so govorili o drugi polovici leta 2011. Toshiba bo imela tudi tehnologijo, imenovano »Toggle DDR2.0«, ki bo ugodno vplivala na hitrost. SanDisk, partner omenjenega proizvajalca, bi se rad pridružil skupini proizvajalcev, ki ponujajo 19 nm čipov NAND Flash pozneje letos. Novi razvoj bo koristil predvsem tabličnim računalnikom, SSD-jem in pametnim telefonom. Uradno obvestilo najdete na izvorni strani.
