Samsung: vložki NAND pod 30 nm
Korejski proizvajalec je napovedal nov razvoj, ki bi lahko močno povečal zmogljivosti.
Samsung je napovedal, da bo izdelal najnovejše čipe NAND TLC (Triple Level Cell) NAND že v 20nm razredu (20-29nm), ki bo imel zmogljivost 64 Gbitov. Lahko shranijo že 3 bite na celico, vendar je v zameno hitrost nižja kot v primeru MLC, poveča pa se tudi možnost napake. Proizvajalec priporoča nove čipe za naprave USB, pomnilniške kartice, pogone SSD in pametne telefone. Avgusta letos sta Intel in Micron že predstavila lastne 64Gbit TLC čipe, ki so bili izdelani po 25nm postopku. Samsungovi prejšnji čipi TLC so imeli le 32 Gbitov in so bili narejeni v razredu 30 nm (30-39 nm).
